磁控溅射硅靶材（多晶/单晶）Si Sputtering Targets
磁控溅射硅靶材（多晶/单晶）Si Sputtering Targets
- 产品详情
- 产品参数
金属硅磁控溅射镀膜靶材高纯99.999％
产品介绍：
真空熔炼工艺和HIP
高纯度99.99％~99.999％
良好的致密度>99％（无孔隙率）
均匀的晶粒尺寸
表面3.2Ra
有竞争力的价格和快速交货
多弧靶Dia100* 40mm
矩形/平面L4000mm *W400mm * T40mm，带孔或台阶
圆管：旋转靶L3987* ID125 * OD159mm，L3191* ID125 * OD159mm
铜背板上的粘接Bonding
另外还可制作颗粒等蒸发镀膜材料
通过绘图定制
应用行业 ：
1：平板显示器涂料行业
2：工具和装饰涂料工业
3：建筑玻璃/汽车玻璃工业
4：光学数据/磁数据存储行业
5：光通信业
6：太阳能光伏和供热业
Silicon Rotatable (Rotary, Cylindrical) SputteringTarget
Manufacturing Range
OD (mm) | ID (mm) | Length (mm) | Custom Made |
80 - 160 | 60 - 125 | 100 - 4000 |
Specification
Composition | Si |
Purity | 3N (99.9%) |
Density | 2.33 g/cm3 |
Grain Sizes | < 150 micron or on request |
Fabrication Processes | Casting, HPS, Plasma Spraying, Machining |
Shape | Straight, Dog bone |
End Types | SCI, SRF, DSF, RFF, WFF, VA, GPI Ends Fixation, Spiral Groove, Custom Made for SS Backing Tube |
Surface | Ra 1.6 micron |
Other Specification
✦ Vapor degreased and demagnetized after final machining.
✦ ID to be HONED and OD GROUND after raw tube is produced to ensure IDto OD concentricity meets drawing requirements.
✦ High vacuum tight, leak rate at any location not to exceed 1 x 10-8 STDCC/SEC.
✦ Sealed in plastic, wrapped in foam to protect, and ends capped toprotect seal surfaces.
Silicon Planar (Rectangle, Circular) SputteringTarget
Manufacturing Range
Rectangle | Length (mm) | Width (mm) | Thickness (mm) | Custom Made |
10 - 2000 | 10 - 300 | 3.175 - 20 | ||
Circular | Diameter (mm) | Thickness (mm) | ||
5.0 - 300 | 3.175 - 20 |
Specification
Composition | Si (Boron doped) |
Purity | 3N (99.9%), 4N (99.99%), 5N (99.999%) |
Density | 2.33 g/cm3 |
Grain Sizes | < 100 micron or on request |
Fabrication Processes | Casting, Machining, Bonding |
Shape | Multi-segmented Target, Bonding on Cu Backing plate |
Types | Plate, Disc, Step, Down bolting, Threading, Custom Made |
Surface | Ra 1.6 micron |
Other Specifications
Flatness, clean smooth surface, polished, free of crack, oil, dot, etc.
Excellent conductions, small linear expansion coefficient and goodheat-resistance.
专注于生产具有最高密度和最小平均晶粒尺寸的高纯硅溅射靶，用于半导体，化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）显示器和光学应用。我们用于薄膜的标准溅射靶材可采用整体式或粘接式，平面靶尺寸和配置可达820 mm，带有钻孔位置和螺纹，斜角，凹槽和背衬，适用于较旧的溅射装置以及最新的工艺设备，例如用于太阳能或燃料电池的大面积涂层和倒装芯片应用。还生产研究性尺寸的靶材以及定制尺寸和合金。使用最佳演示技术分析所有靶材，包括X射线荧光（XRF），辉光放电质谱（GDMS）和电感耦合等离子体（ICP）。“溅射”允许超高纯度溅射金属或氧化物的薄膜沉积通过离子轰击控制去除目标材料并将其转化为定向气相/等离子体相，将材料加到另一个固体基质上。除了几乎任何尺寸的矩形，环形或椭圆形目标外，我们还可以提供此范围之外的靶材。使用结晶，固态和其他超高纯化方法（例如升华）生产材料。我们还将任何稀土金属和大多数其他先进材料铸造成棒状，棒状或板状，以及其他加工形状和其他工艺，如纳米颗粒并以溶液和有机金属的形式存在。我们还生产硅，如圆盘，颗粒，锭，颗粒，碎片，粉末和棒。其他形状可根据要求提供。
