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黄金溅射靶材Au

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产品参数

供应高纯贵金属黄金及金基合金溅射靶材Glod(Au)Targets科研及工业必备材料

产品名称：	金及金基合金溅射靶材
牌号规格：	Au01、Au1、AuGe12、AuGeNi11.5-5、AuGeNi12-4
用途备注：	金、金锗、金锗镍等溅射靶材通过磁控溅射工艺沉积在半导体芯片如GaAs、GaP、GaN等表面，形成欧姆接触膜、电极和连线膜。可形成多种金属化膜系统。

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高纯金及合金是制造半导体芯片的关键基础材料。使用金靶材将金膜沉积在半导体芯片表面，形成欧姆接触膜、电极和连线膜，可形成多种金属化膜系统。该金属氧化膜系统可大量应用于制造发光二极管（LED），

军用和民用微波通信器件，航天、航空等重要领域用半导体化合物以及芯片太阳能电池等领域。

化学成分

序号	合金牌号		主成分
			Au		Ge		Ni		Ga		Be
1	Au₁		≥99.99
2	Au₀₁		≥99.999		——		——		——		——
3	Au₈₈Ge		88±0.5		余量		——		——		——
4	Au_83.5GeNi		83.5±0.5		余量		5±0.4
备注：可按客户要求提供其它成分的产品。
外形尺寸(mm)
合金牌号		形状		规格		允许偏差		厚度		允许偏差
Au₁_、Au₀₁		圆形		100-250		±0.1		3～6		±0.2
		方形		127×381		±1		3～6		±0.2
AuGe₁₂、Au_83.5GeNi、		圆形		100-250		±0.3		6		±0.5
		方形		127×381		±1		6		±0.5
备注：可供其它规格和允许偏差的产品。

主体材质

黄金

产品概述

高纯金及合金是制造半导体芯片的关键基础材料。主要产品牌号有：高纯金Au01、纯金Au1、金锗AuGe2-12、金锗镍AuGe11.5Ni1-5、金铍AuBe1-2.5、金镓AuGa1、金锡AuSn20、AuSn80、金硅AuSi3等；高纯金及合金通常加工成规则颗粒（块、丝段、片）及不规则颗粒等规格（俗称蒸发源），或加工成圆形或方型溅射靶材（俗称靶材），使用真空蒸发或磁控溅射工艺沉积在半导体芯片如G

符号

颜色

金色

纯度

99.99%

品牌

aetoes

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